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氮化鎵
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氮化鎵龍頭英諾賽科能夠成功登陸港股嗎？
第三代半導(dǎo)體，是指以碳化硅、氮化鎵等為代表的新型半導(dǎo)體材料，具有耐熱、耐高壓、低損耗等特點(diǎn)。氮化鎵，再起風(fēng)云
就未來(lái)而言，氮化鎵的前景之廣闊，比目前正火熱的碳化硅有過(guò)之而無(wú)不及。首發(fā) | 晶通半導(dǎo)體（JTM）完成數(shù)千萬(wàn)元天使+輪融資，富華資本投資
晶通半導(dǎo)體在提升電子電子器件最基礎(chǔ)核心的品質(zhì)因子方面，起到了重要的作用。該團(tuán)隊(duì)所獨(dú)創(chuàng)的高壓多溝道氮化鎵技術(shù)，曾被MIT Technology Review報(bào)道稱作是“推動(dòng)氮化鎵的性能朝著其極限發(fā)展”。...氮矽科技完成A輪融資，魅族聯(lián)合創(chuàng)始人白永祥領(lǐng)投
本輪資金將主要用于產(chǎn)品研發(fā)以及產(chǎn)品銷售等方面，繼續(xù)加大研發(fā)投入以及拓寬應(yīng)用市場(chǎng)，確保在2023年實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的突破，爭(zhēng)取在2024年實(shí)現(xiàn)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的突破。路子越走越寬的GaN
即便氮化鎵未來(lái)前景廣闊，但現(xiàn)階段成本較高、電池安全性等難題仍然存在，但在眾多廠商的努力研發(fā)下，期待它未來(lái)路子越走越寬。Anker發(fā)布7款旗艦新品，4大技術(shù)革新重新定義氮化鎵
7月26日，Anker安克召開(kāi)2022旗艦新品發(fā)布會(huì)，聯(lián)合5家全球領(lǐng)先的芯片廠商，公布了4項(xiàng)最新的充電技術(shù)并發(fā)布7款年度旗艦新品。鎵未來(lái)完成近億元A+融資，深啟投資擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問(wèn)
鎵未來(lái)成立于2020年10月，致力于高端氮化鎵功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。「英諾賽科」完成近30億元D輪融資，鈦信資本領(lǐng)投
英諾賽科于2015年成立，是第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵領(lǐng)域全球龍頭，也是全球唯一實(shí)現(xiàn)同時(shí)量產(chǎn)氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業(yè)。熱度不減的氮化鎵
2019年，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體的主要材料之一首次進(jìn)入主流消費(fèi)應(yīng)用，并在2020年因小米氮化鎵充電器而引發(fā)關(guān)注。「Porotech」獲得300萬(wàn)英鎊種子輪融資
Porotech最初創(chuàng)辦于劍橋大學(xué)材料科學(xué)與冶金院系氮化鎵中心，團(tuán)隊(duì)基于在氮化鎵領(lǐng)域的研究積累，率先開(kāi)發(fā)出可工業(yè)化量產(chǎn)的新型多孔氮化鎵半導(dǎo)體材料，現(xiàn)階段主要應(yīng)用于MicroLED領(lǐng)域，未來(lái)結(jié)合Poro...
36氪
半導(dǎo)體行業(yè)觀察
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