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1000層NAND，是「勇者」的游戲
在3D NAND中，最終的目標(biāo)是在基板上堆疊更多層，從而實(shí)現(xiàn)更高的密度。目前主要有兩種堆疊方式——單層或者雙層。存儲(chǔ)芯片，苦盡甘來(lái)？
受終端需求不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存高企影響，自2022年至今，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)“史無(wú)前例”的危機(jī)。英特爾、海力士紛紛實(shí)現(xiàn)扭虧，芯片企業(yè)的AI風(fēng)口來(lái)了嗎
英特爾、海力士等芯片企業(yè)的扭虧為盈標(biāo)志著芯片市場(chǎng)的逐漸復(fù)蘇。這一復(fù)蘇的背后是市場(chǎng)需求的恢復(fù)、企業(yè)自身的優(yōu)化和調(diào)整、以及新技術(shù)帶來(lái)的新機(jī)會(huì)，不過(guò)企業(yè)能否抓住這次發(fā)展的風(fēng)口，還要看芯片企業(yè)們到底該怎么做了...閃存市場(chǎng)，又打起來(lái)了
隨著國(guó)產(chǎn)閃存芯片的技術(shù)追趕速度加快，三星、海力士等企業(yè)也在加速相關(guān)芯片技術(shù)的迭代。HBM 4，要來(lái)了
在三星的強(qiáng)勢(shì)出擊下，對(duì)于SK海力士和美光，需要運(yùn)籌帷幄，才能避免在未來(lái)的HBM競(jìng)爭(zhēng)中掉隊(duì)。存儲(chǔ)芯片行業(yè)大震蕩
2022年以來(lái)，存儲(chǔ)芯片無(wú)疑是此次芯片下行周期中被猛烈沖擊的一個(gè)領(lǐng)域。集邦數(shù)據(jù)表示，預(yù)計(jì)2023年DRAM價(jià)格將在Q1、Q2分別下降20%和11%。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察
江瀚視野觀(guān)察
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