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SiC價(jià)格跳水，開啟下半場戰(zhàn)役
當(dāng)下，6 英寸SiC晶圓價(jià)格持續(xù)陷入內(nèi)卷困境，大量廠商將目光投向尺寸更大的 SiC 襯底，試圖以此探尋新的發(fā)展契機(jī)和突破方向。SiC是如何「拯救」降價(jià)車企的？
業(yè)內(nèi)人士表示，現(xiàn)在SiC吃掉大部分車規(guī)IGBT模塊份額，市場增量巨大。GaN技術(shù)，新變局
未來，隨著研究不斷深入、技術(shù)突破，垂直型GaN器件市場將迎來廣闊發(fā)展前景。在這個(gè)過程中，國內(nèi)外廠商都在勵(lì)兵秣馬，力爭在這個(gè)競爭激烈的市場尋到自己的一片天空。SiC，全民「挖坑」
從行業(yè)整體來看，目前量產(chǎn)溝槽型SiC MOSFET的主要是歐美日等國際SiC廠商。從國際廠商的布局來看，溝槽柵SiC MOSFET會(huì)是未來更具競爭力的方案。碳化硅芯片設(shè)計(jì)公司「至信微電子」獲數(shù)千萬元A輪融資，劍指第三代半導(dǎo)體
至信微電子成立于2021年，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)的高科技公司，主打產(chǎn)品為碳化硅MOSFET及模組等系列產(chǎn)品。公司推出的碳化硅器件產(chǎn)品目前已在光伏、新能源汽車、工業(yè)等領(lǐng)域獲得客戶認(rèn)可。SiC，孤注一擲？
全球主要的SiC廠商，如英飛凌、ST和安森美等，都在大舉投資建廠擴(kuò)產(chǎn)，Wolfspeed甚至采取了“借貸建廠”的策略。歐洲芯片，瘋狂搞事
SiC市場的速度增長之快，超乎了行業(yè)的想象，不僅是汽車領(lǐng)域，在在太陽能、儲(chǔ)能和大功率電動(dòng)汽車充電等廣泛的工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域也在以極快的速度增長。功率器件雙雄，激戰(zhàn)SiC
如何在擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的同時(shí)，控制碳化硅的成本，讓更多車企愿意讓碳化硅上車，或許就是未來制勝的關(guān)鍵所在。中國小型SiC廠商，難過2023
隨著新材料技術(shù)的不斷發(fā)展，國內(nèi)SiC器件供應(yīng)商面臨著一系列重大的挑戰(zhàn)和機(jī)遇，必須勇于面對問題，并做好應(yīng)對策略，才能在激烈的市場競爭中立于不敗之地。國產(chǎn)SiC，一些好消息！
國際SiC巨頭廠商們?yōu)榱松钊胫袊沟?，在中國市場站穩(wěn)腳跟，搶占先機(jī)，正在緊鑼密鼓的布局。英飛凌與碳化硅材料獨(dú)角獸天科合達(dá)簽約成功
天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料，其供應(yīng)量占到英飛凌未來長期預(yù)測需求的兩位數(shù)份額。SiC和GaN，戰(zhàn)斗才剛剛開始
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。沒有安全感的英飛凌
在SiC這一頗具發(fā)展?jié)摿?、又波云詭譎的市場中，英飛凌似乎愈發(fā)變得沒有安全感。美國「搶灘」SiC市場
不得不說，美國有Wolfspeed這樣的SiC晶圓大廠對于美國發(fā)展SiC來說，有著有利的供應(yīng)安全地緣條件。八英寸SiC，開始沖刺
在5G、電動(dòng)汽車需求高速發(fā)展的背景下，SiC降本增效的特點(diǎn)使眾多半導(dǎo)體廠商開始向8英寸進(jìn)軍。全球競逐SiC
SiC是半導(dǎo)體領(lǐng)域最具成長力的材料。在產(chǎn)業(yè)大變革之際，各個(gè)國家和地區(qū)的廠商都在努力發(fā)展SiC技術(shù)。韓國對SiC發(fā)起總攻
目前來看，韓國的在SiC方面的整體實(shí)力較歐美還相對較低，但韓國已經(jīng)開始在快速應(yīng)對SiC的到來，大力完善SiC的產(chǎn)業(yè)布局，強(qiáng)化競爭優(yōu)勢以期搶奪更多的SiC市場。昕感科技完成超億元A輪融資，藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投
公司核心團(tuán)隊(duì)成員來自于多家國內(nèi)外優(yōu)秀半導(dǎo)體公司以及清華大學(xué)，在設(shè)計(jì)、工藝、市場和銷售方面均積累了多年的從業(yè)和科研經(jīng)驗(yàn)，并在汽車產(chǎn)業(yè)擁有豐富的資源。SiC/GaN，海外巨頭瘋狂擴(kuò)產(chǎn)
以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸嶄露頭角，憑借其高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，展現(xiàn)巨大的市場前景，正成為全球半導(dǎo)體市場爭奪的焦點(diǎn)。“拯救”SiC的幾大新技術(shù)
在全球研究人員的努力下，將會(huì)有越來越多的新技術(shù)可以打破碳化硅材料帶來的技術(shù)壁壘。屆時(shí)碳化硅能否成為一統(tǒng)各大分立器件的“圣母皇太后”，我們拭目以待。
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